Microchip 2N3439UA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

-

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3439

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N3439UA

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

5.05

Mounting Styles

SMD/SMT

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

镍镀金

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

电压 - 供电

3.3V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

24MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XDSO-N3

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

SINGLE

功率耗散

5

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

绝对牵引范围 (APR)

--

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

350 V

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--