Microchip 2N3440E3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3440E3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.03

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

DC Current Gain hFE Max

160

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

300 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

1 A

集电极-发射器电压-最大值

250 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT