Microchip 2N3501U4

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

U4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3501U4

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1150 ns

Risk Rank

5.21

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Gain Bandwidth Product fT

-

Mounting Styles

通孔

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

DC Collector/Base Gain hfe Min

35

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Transistor Polarity

NPN

Pd - Power Dissipation

1 W

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CBCC-N3

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

150 V