Microchip 2N3501UB

表面安装

YES

包装/外壳

SMD-4

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3501UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Risk Rank

5.1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Unit Weight

0.057223 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

300 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

Base Product Number

2N3501

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Waffle

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

500 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

300

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT