Microchip 2N3583

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Compliant

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Manufacturer Part Number

2N3583

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.14

Part Package Code

TO-66

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

35 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

35 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

175 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10mA

JEDEC-95代码

TO-66

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

250 V

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

175 V

辐射硬化

无