Microchip 2N3585

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N3585

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-66

Collector-Base Voltage

500(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

2(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

25

Mounting

通孔

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Unit Weight

1.612020 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

2 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

2.5 W

技术

Si

引脚数量

2 +Tab

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

2.5(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

2.5 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA, 10V

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

500 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

连续集电极电流

2

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无