2N3635UB详情
Microchip 2N3635UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
3-SMD
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Package Description
CERAMIC PACKAGE-3
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N3635UB
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.38
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.5 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
最大集极截止电流
10µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
140 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
140 V
2N3635UB拓展信息
Microchip Technology
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