Microchip 2N3636UB

表面安装

YES

包装/外壳

SMD-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

3-SMD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3636UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CERAMIC PACKAGE-3

Risk Rank

5.42

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3636

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.5 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

175 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT