Microchip 2N3637UB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3637

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

175 V

RoHS

N

Maximum DC Collector Current

1 A

Brand

Microchip Technology / Atmel

Manufacturer

Microchip

Gain Bandwidth Product fT

-

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Unit Weight

0.022889 oz

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Pd - Power Dissipation

1 W

Package Description

CERAMIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3637UB

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.76

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Waffle

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

1.5 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

175 V

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

175 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

2.74 mm

高度

1.8 mm

长度

3.25 mm