Microchip 2N3700

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

7(V)

Package Type

TO-18

Collector-Base Voltage

140(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

50

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3700

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Unit Weight

0.150752 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2N3700

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SPC TECHNOLOGY/ MULTICOMP

Risk Rank

4.7

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

Single

功率耗散

1

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT