Microchip 2N3765

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-46

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3765

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

TO-46, 3 PIN

Risk Rank

5.19

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

115 ns

Turn-on Time-Max (ton)

43 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

Base Product Number

2N3765

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-55°C ~ 200°C

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1.5A, 5V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

TO-206AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1.5 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

60 V