Microchip 2N3810L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

底架

通孔

引脚数

6

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3810L

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-78

Package Description

TO-78, 8 PIN

Risk Rank

5.07

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transistor Polarity

Dual PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Base Product Number

2N3810

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

RoHS

Compliant

Mounting Styles

通孔

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

350 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

250 mV

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

125

集电极-发射器电压-最大值

60 V

辐射硬化

无