Microchip 2N3867

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3867

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

TO-5, 3 PIN

Risk Rank

5.1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

600 ns

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

Base Product Number

2N3867

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

10

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

3 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

3

集电极-发射器电压-最大值

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无