Microchip 2N3878

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3878

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

METAL CAN-3

Risk Rank

5.5

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

7 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

35 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

7 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

50 V