Microchip 2N3879

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

7 A

Base Product Number

2N3879

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Unit Weight

0.634459 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

7 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

75 V

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

2N3879

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.07

Part Package Code

TO-66

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

35 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

4mA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 400mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

75 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

7 A

最小直流增益（hFE）

12

连续集电极电流

7

集电极-发射器电压-最大值

75 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT