Microchip 2N4029

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18

材料

Aluminum

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

125832

Manufacturer

Brady

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N4029

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

TO-18, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

210 ns

Risk Rank

1.58

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Warning Signs

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

图例

Cadmium May Cause Cancer Causes Damage To Lungs And Kidneys Wear Respiratory Protection In This

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

背景颜色

White

语言

English

产品类别

Bipolar Transistors - BJT