Microchip 2N4234

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter-Base Voltage

7(V)

Package Type

TO-39

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

40(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Rad Hardened

无

DC Current Gain

40

Mounting

通孔

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4234

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.12

系列

*

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1 W

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

6 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

20

辐射硬化

无