Microchip 2N4235

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-205AD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

FAM7-130

厂商

t-Global Technology

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Schedule B

8541100080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4235

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.6

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

6 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

20

辐射硬化

无