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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥339.184718
10
¥319.985581
100
¥301.873189
500
¥284.786026
1000
¥268.666065
2N4236详情
Microchip 2N4236重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Transistor Polarity
NPN
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
2N4236
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Package Description
TO-5, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N4236
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.56
系列
*
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 250mA, 1V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
6 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
30
连续集电极电流
1
集电极-发射器电压-最大值
80 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N4236拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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