Microchip 2N4261UB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

UB

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N4261

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4261UB

Turn-on Time-Max (ton)

2.5 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

3.5 ns

Risk Rank

5.27

Part Package Code

SOT

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

200 mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

30 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

15 V

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

15 V

辐射硬化

无