Microchip 2N4393

安装类型

通孔

包装/外壳

-

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

2N4393

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

0.4 V

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

30 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

40 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

40 V

Gate-Source Cutoff Voltage

3 V

Id - Continuous Drain Current

12 mA

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4393

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

JFET 40V N-Ch JFET 40Vgs 50mA 1.8W TO-18

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.04

操作温度

-55°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

类型

JFET

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

1.8 W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14pF @ 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-18

漏极-源极导通最大电阻

100 Ω

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

反馈上限-最大值 (Crss)

3.5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5 mA @ 20 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

500 mV @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

电阻-RDS(On)

100 Ohms

产品类别

JFET