Microchip 2N4449UB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

-

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N4449UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SURFACE MOUNT PACKAGE-3

Risk Rank

5.2

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

18 ns

Turn-on Time-Max (ton)

12 ns

Package

Bulk

Base Product Number

2N4449

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

400 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

20 V

辐射硬化

无