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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥764.815396
10
¥721.523959
100
¥680.682977
500
¥642.153753
1000
¥605.805428
2N4860UB详情
Microchip 2N4860UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
TO-18-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
-
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N4860UB
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Risk Rank
5.11
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Package
Bulk
Base Product Number
2N4860
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
JFET
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
360 mW
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
18pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
JFETs
漏极-源极导通最大电阻
40 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
100 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
6 V @ 500 pA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30 V
电阻-RDS(On)
40 Ohms
产品类别
JFET
2N4860UB拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip
Microchip
Microchip







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