Microchip 2N4912

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter-Base Voltage

5(V)

Package Type

TO-66

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

80(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

4(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

[email protected]

Mounting

通孔

Package Description

METAL CAN-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4912

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.01

Part Package Code

TO-66

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

3(MHz)

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

25(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

25 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V