Microchip 2N4931

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

200 mA

Base Product Number

2N4931

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

200 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 30mA, 10V

最大集极截止电流

250nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 3mA, 30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

250 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT