Microchip 2N5004

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

TO-210AA, TO-59-4, Stud

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5004

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

Stud Mount

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

70 MHz

Manufacturer Part Number

2N5004

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.6

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MUPM-X3

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-59

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

58 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

80 V