Microchip 2N5012

包装/外壳

TO-5-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 25 mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Maximum DC Collector Current

200 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

700 V

Risk Rank

8.12

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

2N5012

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

200 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

METAL

Package Style

CYLINDRICAL

Package Description

TO-5, 3 PIN

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-5

集电极基极电压(VCBO)

700 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

700 V