Microchip 2N5114

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Package

Bulk

Base Product Number

2N5114

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-18, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5114

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.08

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

JFET

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-206AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

75 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

90 mA @ 18 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

10 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

75 Ohms

产品类别

JFET