Microchip 2N5115UB

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5115UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SURFACE MOUNT PACKAGE-3

Risk Rank

5.12

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

2N5115

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Waffle

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

JFET

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

JFETs

漏极-源极导通最大电阻

100 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

60 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

6 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

100 Ohms

产品类别

JFET