Microchip 2N5116UB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

SURFACE MOUNT PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5116UB

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.63

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

175 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

25 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

4 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

175 Ohms