Microchip 2N5152L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5152

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

TO-5, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5152L

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.22

Part Package Code

TO-5

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

11.8 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无