Microchip 2N5157

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

250 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

2.8 MHz

Manufacturer Part Number

2N5157

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.14

Part Package Code

TO-3

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

5 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/371

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

5 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500 V

最大集电极电流

3.5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

250µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 700mA, 3.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

500 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

700 V

最大耗散功率(Abs)

100 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

3.5 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

500 V

辐射硬化

无