Microchip 2N5415

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5AA

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N5415

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080, 8541210080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

200 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

750 mW

技术

Si

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

10

功率 - 最大

750 mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

200 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

连续集电极电流

1

辐射硬化

无