Microchip 2N5416S

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Risk Rank

5.09

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N5416S

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Gold (Au)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

750 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

10 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

200 V