Microchip 2N5581

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46 (TO-206AB)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Special Features

Flexible leads; Dynamic strain sensing

Category

运动检测传感器

Mounting

电缆安装

RoHS

Compliant

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N5581

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Package

Bulk

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

2N5581

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.18

Part Package Code

BCY

Usage Level

Commercial grade

操作温度

-40 to 60 °C

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Thin piezo polymer film technology

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

输出类型

Analog

配置

SINGLE

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

感应距离

Contact

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-46

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

筛选水平

Commercial

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

40 V