Microchip 2N5659

底架

Stud

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Number of Elements

1

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2N5659

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

GENERAL SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

8.03

Part Package Code

TO-111

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

30 W

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MUPM-D3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

30 W

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

10 A

JEDEC-95代码

TO-111

最大耗散功率(Abs)

30 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

80 V

辐射硬化

无