Microchip 2N5660

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

表面安装

NO

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5660

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Risk Rank

5.15

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

20 MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

800 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200 V

hFEMin

40

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5660

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

2 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

200 V

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

2 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

2 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

200nA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 400mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

250 V

最大耗散功率(Abs)

20 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

最大结点温度（Tj）

200 °C

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

8.64 mm

辐射硬化

无