Microchip 2N5662

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

房屋材料

Aluminum

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

P-D4R62-K3R3

Manufacturer

Grace Technologies

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5662

Brand

微芯片技术

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Number of Outlets

(1) 120V Receptacle

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

N

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Turn-on Time-Max (ton)

250 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Turn-off Time-Max (toff)

850 ns

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TO-5

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

200nA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 400mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

2

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

知识产权评级

IP65