Microchip 2N5666U3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-276AA

供应商器件包装

U-3 (TO-276AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5666U3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

200 °C

Number of Elements

1

Risk Rank

5.19

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5666

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT