2N5667S详情
Microchip 2N5667S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Base Product Number
2N5667
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
TO-39, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N5667S
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.38
Part Package Code
BCY
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.2 W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
200nA
JEDEC-95代码
TO-205AD
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 1A, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
15 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
300 V
2N5667S拓展信息








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