Microchip 2N5679

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5679

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.46

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080, 8541290080

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

100 V

辐射硬化

无