Microchip 2N5783

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

2N5783

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

3.5 V

Pd - Power Dissipation

10 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

3.5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5783

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.2

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-5

集电极基极电压(VCBO)

45 V

集电极电流-最大值(IC)

3.5 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

40 V