Microchip 2N5793

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5793

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.22

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

310 ns

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N579

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

500mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT