Microchip 2N5796

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N579

RoHS

N

Brand

微芯片技术

Manufacturer

Microchip

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

2N5796

Turn-on Time-Max (ton)

50 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

140 ns

Risk Rank

5.18

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

VTA

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.375 Dia x 0.750 L (9.53mm x 19.05mm)

容差

±0.25%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±8ppm/°C

电阻

1 kOhms

端子表面处理

锡铅

组成

金属箔

功率(瓦特)

0.667W, 2/3W

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

失败率

-

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

500mW

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V

特征

Non-Inductive

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

-