Microchip 2N5796U

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

端子形状

WRAPAROUND

越来越多的功能

SURFACE MOUNT

供应商器件包装

U

介电材料

CERAMIC

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Min

-55

Operating Temperature-Max

125

Package Shape

矩形包装

Manufacturer Series

805

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N5796

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

SURFACE MOUNT PACKAGE-6

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5796U

Turn-on Time-Max (ton)

50 ns

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

140 ns

Risk Rank

5.18

Part Package Code

TO-78

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

温度系数

30ppm/Cel

端子表面处理

PURE TIN OVER NICKEL

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

电容量

51pF

子类别

Transistors

包装方式

TR, 7 INCH

最大功率耗散

600 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

R-CDCC-N6

资历状况

不合格

电容式

陶瓷电容器

温度特性代码

C0G

多层

有

尺寸代码

0805

正容差

10

负公差

10

功率 - 最大

500mW

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.6 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT