注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥100.72794
10
¥95.026355
100
¥89.647511
500
¥84.57312
1000
¥79.785965
2N6193详情
Microchip 2N6193重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N6193
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
TO-39
Package Description
HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Risk Rank
1.54
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Max (toff)
2020 ns
Turn-on Time-Max (ton)
200 ns
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Base Product Number
2N6193
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
60 at 2 A, 2 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Unit Weight
0.504594 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
5 A
DC Current Gain hFE Max
240 at 2 A, 2 VDC
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
最大集极截止电流
100µA
JEDEC-95代码
TO-39
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 500mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
100 V
最大耗散功率(Abs)
10 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
100 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N6193拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip
Microchip
Microchip







哦! 它是空的。