Microchip 2N6235

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6235

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Risk Rank

7.6

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

20 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N6235

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

50 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

50 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

325 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT