Microchip 2N6277

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6277

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BFM

Package Description

TO-3, 2 PIN

Risk Rank

5.02

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

2N6277

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

250 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

250

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

250 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150 V

最大集电极电流

50 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1A, 4V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-204AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 10A, 50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

180 V

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

50

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT