Microchip 2N6295

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Manufacturer Part Number

2N6295

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Risk Rank

5.03

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

50 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

750

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

8 A

DC Current Gain hFE Max

18000

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

技术

Si

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

功率 - 最大

50 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

8 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1.5A, 3V

最大集极截止电流

500µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

50 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

750

连续集电极电流

4 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT