Microchip 2N6299E3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Manufacturer Part Number

2N6299E3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

,

Risk Rank

1.2

Operating Temperature-Max

175 °C

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

64 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

500

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

技术

Si

Reach合规守则

compliant

配置

DARLINGTON

功率 - 最大

64 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 1A, 3V

最大集极截止电流

500µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

64 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

750